欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SGM圣邦微电子SGMICRO半导体全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 芯片采购平台

芯片采购平台 相关话题

TOPIC

标题:芯源半导体MPQ4347GLE-33-AEC1-Z芯片在BUCK电路中的应用和技术介绍 芯源半导体MPQ4347GLE-33-AEC1-Z芯片,一款高性能的IC,以其出色的性能和广泛的应用领域,在电子行业占据着重要的地位。这款芯片采用先进的4ABUCK电源IC设计,适用于需要高效、稳定电源转换的应用场景。 MPQ4347GLE-33-AEC1-Z芯片采用QFN封装,具有小型化、高可靠性的特点。其工作电压范围宽,可在3.3V至5V的电压下正常工作。该芯片的最大输出电流可达4A,转换效率高,
标题:KEMET基美T350H226K025AT钽电容器的卓越性能与应用 KEMET基美的T350H226K025AT钽电容器,以其卓越的性能和稳定的可靠性,在电子设备中发挥着不可或缺的作用。这款电容器的核心是钽电解质薄膜,其特性包括高介电常数和高频率特性。 首先,我们来了解一下T350H226K025AT的基本参数。其电容值为22微法拉(UF),电压范围为25伏特(V),精度为10%,以及耐压为额定电压的20%。这些参数决定了其在各种电子设备中的适用性,如电源电路、滤波器、转换器等。 在技术
标题:Nisshinbo NJU7094R-TE1芯片VSP-8:高效、精准的100 mV/us 5.5 V技术方案与应用介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对微弱信号的处理能力不断提升。日本Nisshinbo公司推出的NJU7094R-TE1芯片VSP-8,以其独特的100 mV/us高精度电压转换率和5.5 V工作电压,为众多应用领域提供了高效、精准的技术解决方案。 一、技术特点 NJU7094R-TE1芯片VSP-8采用先进的电荷泵技术,具有高精度、低噪声、低功耗等特点。其转换效率高达10
标题:JST NSHR-12V-S连接器CONN RCPT HSG 12POS 1.00MM的技术与应用介绍 JST杰世腾,作为全球知名的连接器制造商,一直以其卓越的产品质量和创新的技术设计而备受赞誉。今天,我们将深入探讨JST NSHR-12V-S连接器的CONN RCPT HSG 12POS 1.00MM技术及其应用。 首先,让我们来了解一下这款连接器的技术特点。CONN RCPT HSG 12POS 1.00MM是一种高密度,高电流,高电压的连接器,适用于各种电子设备。它具有出色的电气性
标题:IXYS艾赛斯IXGX320N60B3功率半导体IGBT 600V 500A 1700W PLUS247的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGX320N60B3功率半导体IGBT,作为一种重要的功率半导体器件,以其优秀的性能和稳定的运行特点,在众多应用场景中发挥着不可替代的作用。 IXYS艾赛斯IXGX320N60B3功率半导体IGBT是一款具有600V、500A、1700W PLUS247特性的产品。它能在各种恶劣
Semtech半导体JANTX1N4967US芯片DIODE ZENER 24V 500W的技术和方案应用分析 随着科技的飞速发展,半导体技术已成为现代社会不可或缺的一部分。Semtech公司作为全球知名的半导体供应商,其JANTX1N4967US芯片在许多领域中发挥着重要作用。本文将围绕该芯片的DIODE ZENER 24V 500W技术及其应用进行深入分析。 首先,JANTX1N4967US芯片的DIODE ZENER 24V 500W技术是其核心优势之一。该技术采用特殊的二极管式稳压器,
标题:ADI/Hittite HMC952ALP5GETR射频芯片IC RF AMP在8GHz-14GHz和24QFN封装中的应用介绍 随着无线通信技术的飞速发展,射频芯片在各个领域的应用越来越广泛。ADI/Hittite品牌的HMC952ALP5GETR射频芯片IC,以其卓越的性能和稳定性,在高频通信领域发挥着越来越重要的作用。 HMC952ALP5GETR是一款高性能的射频放大器,适用于8GHz-14GHz的频段,提供了一种有效的无线信号放大解决方案。它采用24QFN封装,具有高可靠性、低
Gainsil聚洵公司是一家在半导体领域具有领先地位的公司,其生产的GS7533-36TR3芯片是一款具有优异性能和广泛应用的集成电路产品。本文将围绕GS7533-36TR3芯片的技术特点和方案应用进行介绍,以帮助读者更好地了解该芯片的特性和应用。 一、技术特点 GS7533-36TR3芯片是一款高性能的升压型单节锂电池充电管理芯片。其主要特点包括: 1. 升压电路:通过升压电路,可以将电池电压转换为高电压,从而提高充电效率。 2. 充电控制:芯片内置充电控制电路,能够根据电池的电量状态自动调
标题: RP111L331D-TR Nisshinbo Micro日清纺微IC及技术方案应用介绍 随着科技的进步,电子设备在我们的日常生活中发挥着越来越重要的作用。而在这个领域,IC(集成电路)扮演着重要的角色。今天,我们将探讨一款来自Nisshinbo Micro日清纺的微IC——RP111L331D-TR。这款IC以其独特的性能和方案应用,在众多电子设备中发挥着不可或缺的作用。 RP111L331D-TR是一款3.3V的微功率IC,其工作电流可达500mA,适合应用于各种需要微小功率输出的
标题:ISSI矽成IS25WP080D-JBLE芯片IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC的技术和方案应用介绍 ISSI矽成是一家在半导体行业享有盛誉的公司,其IS25WP080D-JBLE芯片IC是他们的一款杰作。这款芯片以其卓越的性能和出色的可靠性,广泛应用于各种嵌入式系统,例如物联网设备、医疗设备、硬盘驱动器等。本文将深入探讨ISSI矽成IS25WP080D-JBLE芯片IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC的技术特性和方案应用。 首先,ISSI矽