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标题:HK32F39AVCT6 HK芯片:Cortex-M3单片机芯片的强大应用 HK32F39AVCT6,一款HK(航顺芯片)出品的LQFP100(14*14)单片机芯片,采用了Cortex-M3技术,是一款功能强大的微控制器。这款芯片凭借其高效的处理能力、丰富的外设接口以及卓越的性能,在众多应用领域中发挥着举足轻重的作用。 首先,Cortex-M3是ARM公司推出的一种高性能、低功耗的32位RISC内核。它具有高速的运算能力和丰富的外设资源,为微控制器提供了强大的处理能力。HK32F39A
标题:onsemi安森美NCS333ASN2T1G芯片:OPAMP ZERO-DRIFT技术的卓越应用 onsemi安森美NCS333ASN2T1G芯片,一款独特的OPAMP(单片集成运算放大器)芯片,以其零漂移(ZERO-DRIFT)技术而备受瞩目。该技术使其在各种严苛的环境条件下都能保持精确的输出,无论是在电源波动、温度变化还是时间推移下,其性能几乎无变化。 零漂移特性使得NCS333ASN2T1G在各种应用中表现出色。例如,它在长距离无线通信中的信号增强有着重要应用,因为零漂移确保了即使
3月5日消息,近日,一名VMWare员工在社交平台Reddit上发帖,引发了业界广泛关注。据该员工透露,他收到了来自博通公司的裁员邮件,但这次裁员并未按照标准的流程进行,而是采用了一些被认为是变相逼迫员工离职的做法。 该员工在帖子中明确表示,芯片巨头博通公司的这一操作将导致至少约40%的VMWare工程师被迫离职。这一数字令人震惊,不仅因为它涉及到大批工程师的生计,还因为这意味着VMWare公司将失去大量宝贵的人才资源。 值得注意的是,尽管这一裁员措施目前仅针对美国员工,但有消息人士透露,VM
3月5日消息,国内芯片封测领域的大厂长电科技发布公告,宣布其全资子公司长电科技管理有限公司计划以6.24亿美元(折合人民币约45亿元)的现金,收购全球存储解决方案商Western Digital Corporation(西部数据)旗下位于上海的封测子公司——晟碟半导体有限公司的80%股权。 根据公告内容,长电管理公司已与晟碟半导体的母公司SANDISK CHINA LIMITED正式签署了《股权收购协议》。根据协议条款,长电管理公司将通过现金支付方式,获得晟碟半导体80%的股权,交易对价约为6
随着全球半导体市场的竞争日益激烈,各大公司都在努力寻求技术和生产的突破,以获取竞争优势。最近,模拟芯片巨头德州仪器(TI)宣布将其硅基氮化镓(GaN-on-Si)生产工艺从传统的6英寸(150mm)晶圆升级到8英寸(200mm)晶圆,此举旨在进一步提高产能,并有望大幅度降低生产成本,从而在市场上获得成本优势。 TI韩国总监Ju-Yong Shin在最近的一次媒体活动中分享了这一战略决策背后的考虑。他指出,尽管过去有一种观点认为GaN半导体的生产成本比碳化硅(SiC)半导体更高,但TI已经看到了
关于STM8S003F3P6单片机芯片资料: 资料(1) 资料(2)
简析 STM32F103VET6芯片运用1.型号说明: 该款芯片 为 100引脚 , 512KFlash 64kSRAM LQFP 封装 32位 Cortex内核 (见图一) 2.简要说明: FSMC:对于LQFP100和BGA100封装,只有FSMC Bank1和Bank2可用。 Bank1只能使用NE1芯片去选择支持多路复用的NOR / PSRAM存储器。 Bank2只能使用NCE2芯片去选择支持16或8位NAND闪存。 由于Port G在此封装中不可用,所以不能使用中断线。 定时器:4个
ULN2003ADR 驱动芯片简介ULN2003ADR是双列16脚封装,NPN晶体管驱动器芯片。芯片内部资源丰富,由七个硅NPN 达林顿管和一个消线圈反电动势二极管组成,可用以驱动继电器。ULN2003ADR采用集电极开路输出,输出电流大,输出端允许通过电流200mA;饱和压VCE 约1V,耐压BVCEO 约36V,故可直接驱动继电器,也可直接驱动低压线路。ULN2003ADR最大的特征是耐高压,大电流。芯片集电器电流为500mA,输出电压50V,输入电压30V,终端电流2.5A。芯片存储温度
常用芯片ATMEGA328P-AU 32TQFP资料详解使用高速的微处理控制器(ATMEGA328),开发操作界面和环境都非常简单、易理解,非常适合初学者学习。性能描述I/O 数字输入/输出端共 0~13。I/O 模拟输入/输出端共 0~5。支持ISP下载功能。输入电压:接上电脑USB时无须外部供电,外部供电5V~9V 直流电压输入。输出电压:5V 直流电压输出和3.3V 直流电压输出。
ATmega8A-AU微控制器芯片概述 ATmega8A-AU, picoPower技术AVR微控制器, 8K Bytes在系统可自编程Flash, 512 Bytes在系统可编程EEPROM, 1K Bytes片内SRAM 特点 高性能、低功耗的8位AVR微处理器 高级RISC 结构 130条指令 大多数指令执行时间为单个时钟周期 32个8位通用工作寄存器 全静态工作 工作在16MHz时吞吐量高达16MIPS 片内2周期乘法器 高耐久度非易失性存储器 8K字节的在系统可自编程Flash程序存