摘要 人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器（buffers），其可靠性和速度有助于实现高性能。然而，SRAM 价格昂贵，需要大量的面积和能耗。以前的研究曾探讨过用非易失性存储器等新兴技术取代 SRAM，因为非易失性存储器具有快速读取内存和单元面积小的特点。尽管有这些优势，但非易失性存储器的写入内存访问速度慢、写入能耗高，因此在需要大量内存访问的人工智能应用中，非易失性存储器的性能无法超越 SRAM。一些研究还将 eDRAM 作为一种面积效率高的片上存储器进行了研究，其存取时间与 S